4.6费米能级的位置
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4.1半导体中的载流子
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11.3光电探测器
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2.1量子力学基本原理与薛定谔方向
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6.4准费米能级
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4.3非本征半导体
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6.2化学气相沉积
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2.11电导率和迁移率
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6.1载流子的产生和复合
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3.4状态密度函数
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10.1.1双极晶体管简介及其工作原理
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6.3分子束外延生长
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6.6蚀刻与金属化
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7.2反偏 结击穿
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8.1.2pn结电流的边界条件与少子分布
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3.3金属半导体结
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4.5电中性状态
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2.9载流子浓度
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8.1.1pn结电流的定性分析
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3.2固体中的电传导
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2.2晶格
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3.5异质结
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2.14光吸收和多余载流子
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11.2太阳能电池
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3.4欧姆接触
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8.3小信号模型与等效电路
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10.2.1双端MOS结构
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半导体技术导论1.1绪论
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10.2.2MOSFET基本工作原理
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11.1光学吸收
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13.2阴极催化剂
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9.2欧姆接触
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5.2载流子扩散和杂志梯度分布
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2.4电子和空穴/德布罗意关系
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4.1半导体太阳能电池
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7.1形貌表征：SEM/TEM/AFM
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6.4氧化/扩散/RTP/离子注入/蚀刻/金属化
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6.5过剩载流子的复合寿命
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2.15扩散电流/爱因斯坦关系
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2.16电流连续性方程
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2.3薛定谔波动方程的应用