8.1.1pn结电流的定性分析
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【精讲】半导体物理中在课堂上绝对听不到的知识
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8.1.2pn结电流的边界条件与少子分布
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8.1.3理想pn结电流
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7.2反偏 结击穿
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9.1.1金属半导体-肖特基势垒
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杂质半导体的载流子浓度（3）中间电离区和强电离区
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4.1半导体中的载流子
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10.1.1双极晶体管简介及其工作原理
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11.1光学吸收
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8.2控制电流阶跃暂态测试
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6.6蚀刻与金属化
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6.6表面态
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2.5能带结构/间接带隙半导体
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3.1pn结
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3.5异质结
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3.2偏压下的pn结
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6.4准费米能级
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3.1电极的极化和极化曲线
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2.6有效质量
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3.1允带和禁带
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6.5光刻
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2.3薛定谔波动方程的应用
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2.14光吸收和多余载流子
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2.1晶体
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2.4电子和空穴/德布罗意关系
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3.4状态密度函数
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4.1电毛细曲线
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6.5过剩载流子的复合寿命
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9.2欧姆接触
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2.15扩散电流/爱因斯坦关系
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3.3金属半导体结
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5.4稳态电化学极化规律
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10.1.3低频共基电流增益与非理想效应
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2.2薛定谔基本方程的求解
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半导体进阶——1.1绪论
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8.1电化学测试概述
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3.2固体中的电传导
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10.2.2MOSFET基本工作原理