8.2产生复合电流
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6.1载流子的产生和复合
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11.3光电探测器
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8.1.3理想pn结电流
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4.1半导体中的载流子
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4.2掺杂原子和能级
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8.2控制电流阶跃暂态测试
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3.3三维拓展
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9.1.2电流电压关系
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6.6蚀刻与金属化
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6.2化学气相沉积
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7.2反偏 结击穿
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2.3薛定谔波动方程的应用
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8.1.1pn结电流的定性分析
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11.2太阳能电池
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6.5过剩载流子的复合寿命
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10.1.1双极晶体管简介及其工作原理
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8.1.2pn结电流的边界条件与少子分布
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1.2半导体材料类型
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7.1pn结基本结构，零偏
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4.2光探测器
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2.15扩散电流/爱因斯坦关系
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2.8费米能级
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2.14光吸收和多余载流子
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1.4典型半导体材料结构、特征和材料生长
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8.3小信号模型与等效电路
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3.2固体中的电传导
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10.2.1双端MOS结构
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3.5统计力学
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5.3电子转移步骤的基本动力学参数
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2.16电流连续性方程
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5.4稳态电化学极化规律
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9.2欧姆接触
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4.4施主和受主的统计力学分布
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3.1允带和禁带
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4.5电中性状态
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5.2载流子扩散和杂志梯度分布
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2.2晶格
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6.2过剩载流子的性质
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5.2摩尔定律
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7.1形貌表征：SEM/TEM/AFM