6.2过剩载流子的性质
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5.1载流子的漂移运动
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3.1允带和禁带
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10.1.2少子的分布
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4.4施主和受主的统计力学分布
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10.2.1双端MOS结构
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半导体技术导论1.1绪论
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8.3小信号模型与等效电路
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4.2掺杂原子和能级
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1.2半导体材料类型
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2.2薛定谔基本方程的求解
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9.4现代电沉积新技术
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9.1.1金属半导体-肖特基势垒
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5.4稳态电化学极化规律
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2.14光吸收和多余载流子
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5.2载流子扩散和杂志梯度分布
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4.3发光二极管
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ICP光谱仪炬管的拆卸、清洗与安装手把手教学（竖屏版）
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3.2偏压下的pn结
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3.8双极结型晶体管
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8.2产生复合电流
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12.5二次电池(锂离子电池)
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4.5电中性状态
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2.3薛定谔波动方程的应用
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2.4电子和空穴/德布罗意关系
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3.1pn结
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3.7金属氧化物半导体场效应晶体管-2
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2.3能带-带隙-半导体
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扫描电镜能谱分析仪之实例教学
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8.1.1pn结电流的定性分析
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2.1量子力学基本原理与薛定谔方向
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5.3电子转移步骤的基本动力学参数
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4.4半导体激光器
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7.1形貌表征：SEM/TEM/AFM
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11.2太阳能电池
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7.1pn结基本结构，零偏
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8.1.3理想pn结电流
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2.5能带结构/间接带隙半导体
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2.10热平衡和温度依赖
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扫描电镜三:低电压电镜技术
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6.4氧化/扩散/RTP/离子注入/蚀刻/金属化