10.2.1双端MOS结构
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11.3光电探测器
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4.6费米能级的位置
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10.1.1双极晶体管简介及其工作原理
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11.2太阳能电池
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6.6表面态
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7.1pn结基本结构，零偏
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4.2掺杂原子和能级
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10.2.2MOSFET基本工作原理
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5.1载流子的漂移运动
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9.2欧姆接触
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8.2产生复合电流
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4.5电中性状态
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6.3分子束外延生长
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【精讲】半导体物理中在课堂上绝对听不到的知识
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4.3非本征半导体
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7.2反偏 结击穿
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6.6蚀刻与金属化
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3.5异质结
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9.1.1金属半导体-肖特基势垒
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1.4典型半导体材料结构、特征和材料生长
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1.2半导体材料类型
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3.3三维拓展
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4.4施主和受主的统计力学分布
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4.1电毛细曲线
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8.1.2pn结电流的边界条件与少子分布
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4.2光探测器
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半导体技术导论1.1绪论
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2.14光吸收和多余载流子
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6.5过剩载流子的复合寿命
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8.3小信号模型与等效电路
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2.5能带结构/间接带隙半导体
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2.6有效质量
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3.7金属氧化物半导体场效应晶体管-2
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6.4准费米能级
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9.1.2电流电压关系
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4.3发光二极管
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扫描电镜一:概论及前沿
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7.1形貌表征：SEM/TEM/AFM
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扫描电镜四:能谱分析
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2.1相间电位和电极电位