6.5过剩载流子的复合寿命
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4.1半导体中的载流子
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5.2载流子扩散和杂志梯度分布
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8.2产生复合电流
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6.2过剩载流子的性质
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4.6费米能级的位置
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11.1光学吸收
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9.1.2电流电压关系
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1.2半导体材料类型
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6.6表面态
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3.3三维拓展
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7.1pn结基本结构，零偏
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4.3非本征半导体
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2.2薛定谔基本方程的求解
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2.3薛定谔波动方程的应用
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8.3小信号模型与等效电路
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3.5统计力学
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2.5能带结构/间接带隙半导体
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8.1.2pn结电流的边界条件与少子分布
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6.6蚀刻与金属化
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10.1.1双极晶体管简介及其工作原理
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3.5异质结
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10.2.2MOSFET基本工作原理
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3.2偏压下的pn结
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2.8费米能级
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3.1允带和禁带
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半导体技术导论1.1绪论
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10.1.3低频共基电流增益与非理想效应
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12.5二次电池(锂离子电池)
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5.6器件举例：CCD
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12.4二次电池(铅酸蓄电池)
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5.7逻辑器件
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13.2阴极催化剂
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3.8双极结型晶体管
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1.4.11 选择并遮住
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半导体进阶——1.1绪论
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2.15扩散电流/爱因斯坦关系
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11.1电催化概述
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2.12霍尔效应
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5.2摩尔定律
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2.2绝对电位和相对电位