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6.5过剩载流子的复合寿命
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转载于 北京理工大学 一起学习呀 更多内容可登录智慧树官网查看(直接搜半导体 选北京理工大学版即可) 该课程是由北京理工大学材料学院半导体物理课程教研组公共制作完成。通过本课程可以系统性掌握量子理论初步、半导体材料、半导体器件等半导体物理课程相关知识。基于本课程知识图谱线上扩展资源,可以补充学习到复变函数、数理方程、统计力学等本课程必要前修知识。基于本课程配套虚拟仿真实验,可以交互式学习
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4.1半导体中的载流子
5.2载流子扩散和杂志梯度分布
8.2产生复合电流
6.2过剩载流子的性质
4.6费米能级的位置
11.1光学吸收
9.1.2电流电压关系
1.2半导体材料类型
6.6表面态
3.3三维拓展
7.1pn结基本结构,零偏
4.3非本征半导体
2.2薛定谔基本方程的求解
2.3薛定谔波动方程的应用
8.3小信号模型与等效电路
3.5统计力学
2.5能带结构/间接带隙半导体
8.1.2pn结电流的边界条件与少子分布
6.6蚀刻与金属化
10.1.1双极晶体管简介及其工作原理
3.5异质结
10.2.2MOSFET基本工作原理
3.2偏压下的pn结
2.8费米能级
3.1允带和禁带
半导体技术导论1.1绪论
10.1.3低频共基电流增益与非理想效应
12.5二次电池(锂离子电池)
5.6器件举例:CCD
12.4二次电池(铅酸蓄电池)
5.7逻辑器件
13.2阴极催化剂
3.8双极结型晶体管
1.4.11 选择并遮住
半导体进阶——1.1绪论
2.15扩散电流/爱因斯坦关系
11.1电催化概述
2.12霍尔效应
5.2摩尔定律
2.2绝对电位和相对电位