半导体技术导论1.1绪论
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4.1半导体中的载流子
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2.1晶体
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6.3分子束外延生长
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3.4欧姆接触
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2.11电导率和迁移率
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4.2光探测器
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4.6费米能级的位置
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4.3双电层结构理论模型
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6.1载流子的产生和复合
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5.3电子转移步骤的基本动力学参数
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4.4施主和受主的统计力学分布
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9.2欧姆接触
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1.2半导体材料类型
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3.1电极的极化和极化曲线
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11.2太阳能电池
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4.3发光二极管
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扫描电镜四:能谱分析
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1.1 PS的自我介绍
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6.6蚀刻与金属化
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2.8费米能级
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2.5能带结构/间接带隙半导体
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2.2薛定谔基本方程的求解
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5.4稳态电化学极化规律
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Materials Studio 基础教学1
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2.2晶格
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9.3电沉积技术的应用
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5.1载流子的漂移运动
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2.6有效质量
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4.3非本征半导体
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4.5电中性状态
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11.1光学吸收
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2.1相间电位和电极电位
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8.3小信号模型与等效电路
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3.2偏压下的pn结
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6.6表面态
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4.2微分电容曲线
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5.8封装测试
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8.2控制电流阶跃暂态测试
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3.7金属氧化物半导体场效应晶体管-2
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1.1-半导体器件建模概述_linux基础与软件安装上