3.4欧姆接触
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4.2光探测器
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6.6蚀刻与金属化
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6.2化学气相沉积
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2.12霍尔效应
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6.1载流子的产生和复合
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2.3能带-带隙-半导体
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2.16电流连续性方程
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3.5异质结
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2.1晶体
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2.7n/p型掺杂
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2.1相间电位和电极电位
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扫描电镜四:能谱分析
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6.4准费米能级
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9.2欧姆接触
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3.3三维拓展
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扫描电镜云现场之打能谱
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6.4氧化/扩散/RTP/离子注入/蚀刻/金属化
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5.1载流子的漂移运动
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2.9载流子浓度
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Materials Studio 基础教学1
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3.7金属氧化物半导体场效应晶体管-2
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4.1电毛细曲线
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2.6有效质量
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3.6金属氧化物半导体场效应晶体管-1
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6.2真实条件下的稳态扩散
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2.1量子力学基本原理与薛定谔方向
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4.4电极/溶液界面的吸附现象
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5.2摩尔定律
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8.1电化学测试概述
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4.6费米能级的位置
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5.6器件举例：CCD
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3.2偏压下的pn结
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6.3分子束外延生长
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扫描电镜三:低电压电镜技术
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5.4产业链
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8.1.3理想pn结电流
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3.5统计力学
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半导体技术导论1.1绪论
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6.2过剩载流子的性质
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5.2载流子扩散和杂志梯度分布