6.1硅晶体生长和掺杂
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2.11电导率和迁移率
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1.2半导体材料类型
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11.2太阳能电池
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5.6器件举例：CCD
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7.1pn结基本结构，零偏
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5.1载流子的漂移运动
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6.5光刻
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XRD图谱精修（结构精修）
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2.12霍尔效应
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5.8封装测试
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2.1量子力学基本原理与薛定谔方向
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11.1光学吸收
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5.7逻辑器件
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2.8费米能级
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2.14光吸收和多余载流子
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3.1pn结
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3.1电极的极化和极化曲线
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5.3半导体市场
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3.3金属半导体结
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3.5统计力学
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4.4半导体激光器
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13.2阴极催化剂
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2.15扩散电流/爱因斯坦关系
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2.6有效质量
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2.16电流连续性方程
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2.10热平衡和温度依赖
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2.4电子和空穴/德布罗意关系
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电化学原理【中国地质大学2023年版】
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5.5CMOS工艺
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8.1电化学测试概述
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10.2.1双端MOS结构
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4.3非本征半导体
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12.5二次电池(锂离子电池)
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1.4典型半导体材料结构、特征和材料生长
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3.1允带和禁带
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7.2反偏 结击穿
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3.4状态密度函数
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6.3浓差极化的规律和判别方法
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5.2载流子扩散和杂志梯度分布
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9.4现代电沉积新技术