4.2掺杂原子和能级
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热平衡时的载流子浓度（2）本征半导体的载流子浓度、本征费米能级
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6.2化学气相沉积
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6.3分子束外延生长
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4.2光探测器
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4.3非本征半导体
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5.8封装测试
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热平衡时的载流子浓度（3）电中性条件、非均匀掺杂半导体费米能级、空间电荷、势垒
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4.4施主和受主的统计力学分布
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2.8费米能级
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5.1载流子的漂移运动
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2.12霍尔效应
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2.14光吸收和多余载流子
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3.1允带和禁带
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3.2偏压下的pn结
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4.1半导体太阳能电池
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半导体技术导论1.1绪论
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3.4欧姆接触
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6.5过剩载流子的复合寿命
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扫描电镜一:概论及前沿
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2.3薛定谔波动方程的应用
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5.5CMOS工艺
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8.1.1pn结电流的定性分析
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2.5能带结构/间接带隙半导体
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11.1电催化概述
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3.1pn结
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8.2产生复合电流
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2.3能带-带隙-半导体
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2.5电位-pH图
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6.1硅晶体生长和掺杂
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2.9载流子浓度
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2.4电子和空穴/德布罗意关系
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9.2欧姆接触
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6.4准费米能级
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3.2固体中的电传导
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4.2微分电容曲线
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5.1集成电路历史
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6.5光刻
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4.3发光二极管
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2.15扩散电流/爱因斯坦关系
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10.1.1双极晶体管简介及其工作原理