2.12霍尔效应
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2.1晶体
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4.1半导体中的载流子
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4.2掺杂原子和能级
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3.5异质结
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2.1量子力学基本原理与薛定谔方向
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6.4氧化/扩散/RTP/离子注入/蚀刻/金属化
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6.6蚀刻与金属化
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7.1形貌表征：SEM/TEM/AFM
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1.2半导体材料类型
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12.2.1化学电源基本性能参数 (一)
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2.16电流连续性方程
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2.10热平衡和温度依赖
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12.4二次电池(铅酸蓄电池)
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2.2薛定谔基本方程的求解
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2.5能带结构/间接带隙半导体
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6.1载流子的产生和复合
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5.2载流子扩散和杂志梯度分布
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2.14光吸收和多余载流子
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1.4典型半导体材料结构、特征和材料生长
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3.6金属氧化物半导体场效应晶体管-1
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2.15扩散电流/爱因斯坦关系
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气体吸附分析三：氮气吸脱附分析原理
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3.5统计力学
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2.9载流子浓度
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8.1.1pn结电流的定性分析
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12.5二次电池(锂离子电池)
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XRD理论讲解
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1.4电解质的平均活度和平均活度因子
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1.3.1 色彩的产生
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2.12 浪漫唯美的氛围
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半导体进阶——1.1绪论
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10.1.2少子的分布
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3.4状态密度函数
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9.2欧姆接触
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7.1pn结基本结构，零偏
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5.6器件举例：CCD
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5.7逻辑器件
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2.1相间电位和电极电位
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10.3金属防护的主要方法
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1.5.3 图层模式