FIB聚焦离子束技术
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磁控溅射怎么约束离子走向基板
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电子束光刻的分类
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电子束蒸发
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FIB制样
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外延工艺
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电子束光刻的原理
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MEMS键合工艺
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步进式曝光
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MEMS光刻加工
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不同光刻胶的区别
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CVD中的PSG,BPSG,FSG分别是什么？
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MEMS镀膜工艺
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ITO导电玻璃
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重掺杂硅片
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外延工艺
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承接封装，微流道制造，复杂图案制造等MEMS工艺#MEMS #封装 #微流道制造
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电子束光刻工艺流程
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刻蚀：干法刻蚀ICP，RIE，湿法刻蚀
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扩散和掺杂
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磁控溅射蒸镀钛酸钡薄膜，制造需求：厚度100-500nm，磁控溅射的过程中边加热衬底（加热温度可调200-800度）边蒸镀。可以做的请联系：MEMSMNT
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MEMS医疗前景广阔
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BOE，全称为缓冲氧化物刻蚀液（Buffered Oxide Etch），由氢氟酸（49%）水溶液与氟化铵水溶液按比例混合而成。这是一种常用的半导体制程中的..
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原子力显微镜AFM
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MEMS几乎可以实现人体所有感官功能
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MEMS工艺中的电子束光刻主要流程
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CMP晶圆抛光
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深硅刻蚀
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如何制作掩膜版
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超纯水
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MEMS技术的广泛应用
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原子力显微镜AFM
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EBSD材料表征技术
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TEM拍照，欢迎咨询。
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电子束光刻的基石：光刻胶
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芯片制造中的金属杂质问题
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扎根珠江新城核心区3年，收获了越来越多的会员认可，相信聚焦深耕价值的力量。
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在Paul trap中束缚单个离子，micromotion是如何产生的？
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设计具有三维互通的大孔隙结构，以促进电解质离子的快速迁移，是获得高性能柔性可穿戴MXene储能器件的有效途径。
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当年央视报道外星人造访地球新闻，感觉还挺魔幻的
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看看有意思的化石