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扩散和掺杂
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扩散和掺杂是半导体工艺中的两个不同过程,它们在一定程度上有相似之处,但并不等同。 扩散是指在高温条件下,杂质原子(例如磷、硼等)在半导体晶格中做热运动,从高浓度区域向低浓度区域迁移,使得杂质在半导体内部形成一定的浓度分布,进而改变半导体的电学性质。例如,在制造PN结时,通过扩散工艺将P型或N型杂质引入硅片,形成PN结。 掺杂则是指在半导体材料制备过程中,人为地在纯净的半导体(如硅或锗)中添加少量的特定杂质元素,以改变半导体的导电类型或控制其电阻率的过程。例如,向硅中添加硼可形成P型半导体,添加磷则可形成N型半导体。 所以,可以说扩散是掺杂的一种后续处理方式,用于实现掺杂元素在半导体内部的均匀分布或特定分布,从而达到调控半导体器件性能的目的。但严格来讲,扩散并非掺杂本身。
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