V
主页
重掺杂硅片
发布人
重掺杂硅片是指在硅片中掺杂物浓度较高的材料。掺杂是将矽晶体中的原子替换为其他元素原子的过程,用于调节材料的电学性能。重掺硅片的掺杂浓度通常在10的18次方/cm立方或更高,具有高电导率和低电阻率的特点。 在半导体领域中,重掺杂硅片主要用于增大PN结的扩散电容,减小PN结的势垒高度,提高器件的开关速度和降低功耗等。此外,重掺杂硅片还可以用于制造各种集成电路、功率器件和光电器件等。 需要注意的是,重掺杂硅片的制造工艺较为复杂,需要精确控制掺杂浓度和分布,以确保器件的性能和稳定性。
打开封面
下载高清视频
观看高清视频
视频下载器
什么是流片?
FIB制样
扩散和掺杂
环氧树脂光刻胶
不同光刻胶的区别
步进式曝光
外延工艺
CVD中的PSG,BPSG,FSG分别是什么?
电子束蒸发
TEM透射电子显微镜
FIB聚焦离子束技术
电子束光刻的原理
MEMS键合工艺
柔性电子器件
ITO导电玻璃
BOE,全称为缓冲氧化物刻蚀液(Buffered Oxide Etch),由氢氟酸(49%)水溶液与氟化铵水溶液按比例混合而成。这是一种常用的半导体制程中的..
外延工艺
电子束光刻的分类
刻蚀:干法刻蚀ICP,RIE,湿法刻蚀
磁控溅射蒸镀钛酸钡薄膜,制造需求:厚度100-500nm,磁控溅射的过程中边加热衬底(加热温度可调200-800度)边蒸镀。可以做的请联系:MEMSMNT
MEMS光刻加工
低应力氮化硅片
MEMS工艺中的电子束光刻主要流程
深硅刻蚀
电子束光刻微纳结构图案
电子束光刻工艺流程
超纯水
MEMS医疗前景广阔
如何制作掩膜版
MEMS装置的制造
电子束光刻的基石:光刻胶
MEMS几乎可以实现人体所有感官功能
磁控溅射怎么约束离子走向基板
CMP晶圆抛光
承接封装,微流道制造,复杂图案制造等MEMS工艺#MEMS #封装 #微流道制造
原子力显微镜AFM
器件制造:晶体管制造,二维器件制造,微纳器件制造等,可定制与咨询。#器件制造 #晶体管制造 #微纳器件制造 #二维器件 #MEMS
承接悬空薄膜制备,悬空微纳器件集成,批量化制造与设计。
当年央视报道外星人造访地球新闻,感觉还挺魔幻的
EBSD材料表征技术