V
主页
MEMS工艺中的电子束光刻主要流程
发布人
MEMS工艺中的电子束光刻主要流程有,1.基片表面预处理:硅片表面粗糙度、热膨胀系数低,在MEMS光刻中通常采用硅片作为基底。为确保光刻胶涂覆均匀,需要使用化学溶液对表面进行清洗,后用去离子水漂洗并干燥。2.旋涂光刻胶:涂胶方法有旋涂法、喷涂法和定量滴胶法。由于PMMA黏度较大,涂覆厚度一般不大于1微米,通常采用旋涂法。将光刻胶滴在硅片中心处,使硅片高速旋转,光刻胶在离心力的作用下均匀铺满整个硅片。3.前烘:前烘可使光刻胶中的溶剂挥发,使其与硅片之间的结合力更强。前烘过度则会导致胶膜硬化......
打开封面
下载高清视频
观看高清视频
视频下载器
电子束光刻的原理
电子束光刻的分类
电子束光刻微纳结构图案
MEMS光刻加工
MEMS键合工艺
电子束光刻工艺流程
什么是流片?
电子束蒸发
外延工艺
MEMS镀膜工艺
MEMS医疗前景广阔
MEMS几乎可以实现人体所有感官功能
电子束光刻的基石:光刻胶
MEMS技术的广泛应用
FIB制样
MEMS刻蚀工艺
承接封装,微流道制造,复杂图案制造等MEMS工艺#MEMS #封装 #微流道制造
MEMS装置的制造
环氧树脂光刻胶
MEMS微机电系统的首次提出
FIB聚焦离子束技术
不同光刻胶的区别
刻蚀:干法刻蚀ICP,RIE,湿法刻蚀
GZO是铟镓锌氧化物
CVD中的PSG,BPSG,FSG分别是什么?
ITO导电玻璃
外延工艺
柔性电子器件
扩散和掺杂
芯片制造中的金属杂质问题
TEM透射电子显微镜
磁控溅射蒸镀钛酸钡薄膜,制造需求:厚度100-500nm,磁控溅射的过程中边加热衬底(加热温度可调200-800度)边蒸镀。可以做的请联系:MEMSMNT
BOE,全称为缓冲氧化物刻蚀液(Buffered Oxide Etch),由氢氟酸(49%)水溶液与氟化铵水溶液按比例混合而成。这是一种常用的半导体制程中的..
原子力显微镜AFM
深硅刻蚀
超纯水
步进式曝光
重掺杂硅片
激光直写
低应力氮化硅片