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外延工艺
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外延工艺是指在单晶衬底上生长单晶材料层,新生长的单晶层的晶向通常与衬底的晶向相同,生长有外延层的衬底片叫做外延片。常用的外延技术包括气相、液相和分子束外延等,其中CVD外延是集成电路工艺中应用最为广泛。 外延层可以是同质外延层(Si/Si),也可以是异质外延层(SiGe/Si或SiC/Si等)。用于CVD生长硅外延层的反应剂主要有4种:四氯化硅、二氯硅烷、三氯氢硅和硅烷,其中硅烷外延温度较低,可以减少自掺杂效应和扩散效应等,近年来应用较多。另外,通过在反应气体中增加氢化物杂质掺杂源(如磷烷..
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