电子束光刻工艺流程
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电子束光刻的分类
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电子束光刻的原理
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电子束光刻微纳结构图案
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什么是流片？
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MEMS工艺中的电子束光刻主要流程
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MEMS光刻加工
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MEMS键合工艺
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外延工艺
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电子束光刻的基石：光刻胶
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MEMS医疗前景广阔
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MEMS装置的制造
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电子束蒸发
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FIB制样
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MEMS镀膜工艺
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MEMS几乎可以实现人体所有感官功能
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外延工艺
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芯片制造中的金属杂质问题
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CVD中的PSG,BPSG,FSG分别是什么？
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刻蚀：干法刻蚀ICP，RIE，湿法刻蚀
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ITO导电玻璃
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磁控溅射怎么约束离子走向基板
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MEMS技术的广泛应用
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承接封装，微流道制造，复杂图案制造等MEMS工艺#MEMS #封装 #微流道制造
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GZO是铟镓锌氧化物
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FIB聚焦离子束技术
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环氧树脂光刻胶
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不同光刻胶的区别
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TEM透射电子显微镜
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TEM拍照，欢迎咨询。
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深硅刻蚀
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BOE，全称为缓冲氧化物刻蚀液（Buffered Oxide Etch），由氢氟酸（49%）水溶液与氟化铵水溶液按比例混合而成。这是一种常用的半导体制程中的..
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扩散和掺杂
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医疗器械工艺过程确认及过程能力计算
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【半导体工艺】从头到尾带你彻底了解芯片半导体究竟怎么样！
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MEMS微机电系统的首次提出
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柔性电子器件
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MEMS刻蚀工艺
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磁控溅射蒸镀钛酸钡薄膜，制造需求：厚度100-500nm，磁控溅射的过程中边加热衬底（加热温度可调200-800度）边蒸镀。可以做的请联系：MEMSMNT
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低应力氮化硅片
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原子力显微镜AFM